3、关于硅压阻式传感器（SPRT）
3.1硅压阻式传感器（SPRT）检测原理
硅压阻式传感器一般配置为一个紧密的惠斯登电桥。当有压力施加到SPRT的敏感电桥的桥臂时(见图2a所示)，对角桥臂的电阻值R将发生相同方向、相同大小的改变,即R+△R和R-△R。当一个对角桥臂上的两个电阻值在压力的作用下增加时，另外一个对角桥臂的电阻值降低，反之亦然。对于SPRT半敏感电桥(见图2b所示)，则只有半边桥臂的电阻值发生改变。不管是全桥还是半敏感电桥的传感器都具有高灵敏度（>10mv/v）、良好的线性、温度稳定性及无信号滞回等优点，其测量范围可上至破坏性极限。
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3.2硅压阻式传感器的应用
当今，由于新的IC技术已经能够精确校准SPRT，所以将硅压阻式传感器应用范围从中、低精度检测扩展到高端领域。弥补了以往SPRT通常只能用于中、低精度检测，而对高端产品非要采用昂贵的应变计等不足之处。但要应用硅压阻式传感器必须解决误差补偿-校准技术，才能提高精度。为此，首要的是应对硅压阻式传感器的误差作分析。
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